Intel과 일본 SAIMEMORY가 개발 중인 차세대 메모리 ‘Z-Angle Memory’입니다.핵심: DRAM을 기존보다 적극적으로 수직(Z 방향) 적층해 메모리 용량·대역폭을 높이고 전력소모를 낮추려는 구조입니다.Intel: 미국 DOE 연구와 자체 NGDB(Next Generation DRAM Bonding) 기술·IP를 제공하는 기술 파트너입니다. 일본 측: SoftBank 자회사 SAIMEMORY가 개발과 상용화를 주도합니다. 2026년 NEDO 지원 과제로도 선정됐고 RIKEN도 공동연구에 참여합니다. 목표: AI/HPC에서 문제가 되는 HBM의 용량·대역폭·전력·패키징 한계를 새로운 DRAM 적층 방식으로 해결하려는 것입니다.일정: 현재 계획상 2027년 프로토타입, 2029~2030년경 ..